25-TPS51200A DDR3 核心电压轨​ 和一个基准电压 灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器

张开发
• 2026/4/12 18:01:10 • 15 分钟阅读

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25-TPS51200A DDR3 核心电压轨​ 和一个基准电压 灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器
TPS51200ADDR2、DDR3、DDR3L 和 LPDDR2/3 内存系统设计的双通道、同步降压开关控制器。它集成了内存供电所需的 两大核心电压轨 和一个基准电压 于单个芯片中极大地简化了设计节省了空间并提高了可靠性。1.引脚功能2.功能描述为计算机主板、笔记本、服务器、网络设备等上的DDR内存提供一套完整、高效、精准的电源方案。双通道输出核心功能芯片内部包含两个独立的控制器可产生• VDDQ / VDD (电源轨0): 为内存芯片的核心逻辑供电。对于DDR3通常是 1.5V对于DDR3L是 1.35V。此通道通常可提供高达 5A 的负载电流。• VTT (电源轨1): 为内存数据总线的终端电阻提供终止电压。其电压值为 VDDQ/2。这是一个具有 源出Sourcing和吸入Sinking 能力的线性稳压器能快速响应总线切换时的电流变化对信号完整性至关重要。通常可提供高达 ±3A 的电流。集成基准电压VTTREF• 芯片还生成了一个高精度的 基准电压 VTTREF其值也为 VDDQ/2。• VTTREF 主要用于连接内存条上的 VREF 引脚作为数据接收器的参考电压确保数据能被正确识别为高电平或低电平。• 关键关系VTT VTTREF VDDQ / 2。这个比例的精度非常高通常误差在±1%以内是DDR内存稳定工作的基础。工作模式与控制• PWM 控制器 (用于 VDDQ): 采用电压模式控制开关频率可固定如300kHz, 500kHz或通过外部电阻编程。需要外接 MOSFET上管和下管、电感和滤波电容来构成完整的降压电路。这种设计灵活效率高。• 线性控制器 (用于 VTT): 是一个高速的线性稳压器直接从 VDDQ 或外部输入降压产生。它能快速响应负载瞬变确保VTT电压在数据频繁读写时保持稳定。• 使能与控制:◦ 通过 EN 引脚使能整个芯片。 ◦ 具有 Power-Good (PGOOD) 输出信号用于指示VDDQ输出是否正常可供系统时序控制使用。 ◦ 支持 输出电压软启动防止上电冲击电流过大。关键性能参数• 输入电压范围 (VIN): 通常为 3V 至 28V宽泛的输入使其能适应多种系统电源如5VSB, 5V, 12V。• 输出电压精度: 高精度典型值在 ±1% 以内。• 源出/吸入能力: VTT 通道能快速提供或吸收电流以适应总线状态的突然变化。• 保护功能: 集成了过流保护OCP、过压保护OVP 和欠压保护UVP 等确保系统安全。TPS51200 是DDR2/DDR3时代的一个里程碑式产品。它成功地将内存供电的三个关键电压VDDQ, VTT, VTTREF的生成和管理集成到一颗芯片中为工程师提供了一个“一站式”的解决方案极大地降低了DDR内存电源设计的复杂性、风险和布板空间是当时及此后多年主板设计中极为常见的核心电源芯片之一。

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