测试TLE5012BE1000

张开发
2026/4/11 17:37:16 15 分钟阅读

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测试TLE5012BE1000
简 介本文测试了英飞凌TLE5012磁角度传感器模块分析了其SPI接口电路设计通过STM32硬件SPI实现了对角度数据的读取。测试内容包括模块引脚连接验证MISO直连芯片SCK/CS通过100Ω连接、SPI时序配置下降沿采样、1Mbps数据传输测试最终成功读取角度寄存器数据。结果表明该传感器工作正常为后续精度验证奠定了基础。相关设计文件已通过单面PCB实现快速验证。关键词TLE5012基于GMR的角度传感器TLE5012BE1000TLE5012的使用和3线SPI通信SSC说明STM32 硬件SPI驱动磁编码器TLE5012BAD\Test\2026\April\TLE5012CIU32F003.PcbDoc01【TLE5012磁编芯片】一、简介昨天收到了这款来自助飞的磁场角度编码器 它的核心芯片是来自英飞凌的TLE5012。 此外还有用于产生磁场的特殊的永磁铁 在磁铁表面产生水平方向的磁场这样可以用于磁场角度的测量 下面通过测试来具体读取一下传感器输出的角度数值。二、模块引脚首先测量一下磁编模块的接口与芯片之间的连接关系 接口中的MISO直接连接在芯片的第四管脚 接口中的SCK时钟通过100欧姆连接在芯片的第二管脚 接口中的片选CS通过100欧姆连接在芯片的第3管脚 接口中的 MOSI通过470欧姆连接在第四 管脚。根据TLE5012数据手册中的管脚功能定义 可以看到其中的时钟线和片选线是与外部接口通过100欧姆直接相连。 它的数据端口直接连在外部接口的MISO以及通过470欧姆连接的MOSI。 参照设计手册中给出的接口连接单机的推荐方案 能够看到其中的电阻配置与数据手册中给出电路图中的电阻配置是一样的 唯一不同的就是接口中的MISO是直接连接在芯片中的数据端口 而不是和单片机的MOSI一起通过470欧姆连接到芯片的数据端口 至于为什么现在还不得而知。三、设计测试电路设计测试电路。 核心的MCU采用F003单片机 通过6芯端口与TLE5012相连 铺设单面PCB适合一分钟制版 一分钟之后得到测试电路板。 下面进行焊接测试 使能F003内部的SPI端口功能 通过软件调试发现一个之前没有注意到的现象 也就是在使用SPI发送与接收之前必须将NSS也就是外部SPi I器件的片选端置低 否则的话调用内部的这个SPI发送子程序会被阻塞。 下面我们来测试一下SPI端口的输出波形。 示波器显示SPI器件的片选端口 也就是黄色信号线以及输出的数据信号线 也就是青色信号线。 可以测算出数据信号的波特率。 现在在青色数据线输出数据0X55。 而且可以看到此时片选信号与数据信号显示正常。 数据输出的波特率为1Mbps。 下面连接TLE5012对他进行读写测试。▲ 图1.3.1 片选与数据信号原本在CSDN中要求他的写作助手直接给出TLE5012的读写程序 但是经过查看可以看到它给出的程序基本上没法使用。 是高度框架化的一个程序。 接下来我们还是根据TLE5012的数据手册 直接编写对应的子程序。 首先我们看到TLE5012的串口协议 它对应的数据是在时钟的下降沿锁入寄存器。 因此在CIU32单片机的SPI端口的设置中 对于时钟相位设置为第2个变化沿 也就是针对的时钟的下降沿 那此时设置的时钟的极性是常态下是低电平。 观察输出的波形查看是否设置正确。 根据时钟的下降沿可以看到此时对应的输出数据位 对应的正式发送的0X5A数据。下面根据数学手册中的读写命令 来读写 TLE5012中的角度信息 我们可以看到读写的角度信息被正确的通过串口发送到上位机的串口程序终端。 由此也验证了到此为止 对TLE5012读写访问的程序的正确性。※总结 ※本文初步测试了磁角度传感器TLE5012的基本功能 测试了模块端口与芯片管脚之间的连接关系 利用SPI接口读取了芯片内部速度和角度寄存器的数值 初步验证了该芯片工作正常。 至于输出角度的正确数值 接下来会通过进一步的测量来验证该模块的性能。■ 相关文献链接:基于GMR的角度传感器TLE5012BE1000TLE5012的使用和3线SPI通信SSC说明STM32 硬件SPI驱动磁编码器TLE5012B● 相关图表链接:图1.3.1 片选与数据信号

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